2009年8月，实验室与合肥龙迅合作设计了一款用于背光WLED驱动的PWM控制Boost型DC-DC芯片，芯片面积为2.05mm×1.07mm，该芯片主要性能指标为：

●芯片启动时间达到200µs；

●制造工艺为华润上华0.5µm微米N阱高压工艺；

●驱动2-6个白光LED，最高输出电压为20V； 

●电路工作频率1MHz，在随电压温度等变化时其变化范围±10%以内；

●输出电流在在15mA到60mA之间通过片外限流反馈电阻可调；

●输入电压在3.3V~5.5V范围电路均可正常工作；

●转换效率达到80%以上；

●具有过温、过压、过流保护功能。

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