2012年8月19--21日，在美国马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校召开的第11届IEEE超大规模集成电路年度会议（IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI，ISVLSI 2012）上，清华大学电子系电路与系统研究所博士后罗洪的论文《考虑RTN效应的纳米级电路性能退化的评测与抑制方法》（Temporal Performance Degradation under RTN: Evaluation and Mitigation for Nanoscale Circuits）获最佳论文奖。这是大陆研究人员作为第一作者的论文首次获得该会议最佳论文奖。清华电子系汪玉、杨华中，计算机系马昱春等为论文共同作者。

　　该论文的研究工作建立了电路级考虑RTN的性能仿真平台，提出采用针对独立随机变量求和的采样和分组方法，降低了基于路径的性能概率分布仿真的复杂度（由指数变成线性），使得考虑RTN的大规模数字电路的性能仿真成为可能。

　　此次大会共收到来自世界各地的论文200余篇，其中3篇被评为最佳论文奖。